問題一、雙N溝道m(xù)os buck電路上電燒mos管該如何修改？
48V轉(zhuǎn)13V非隔離buck直流電路。現(xiàn)在設(shè)定好25A負載后上電測試會出現(xiàn)板子上其中一個mos燒壞的現(xiàn)象，把壞的mos換了再測就不會再出現(xiàn)問題。
我用示波器測良品mos DS電壓最高是64V，低于手冊標注的最高80V，柵極開啟電壓15V，低于手冊標注的最高25V，mos開關(guān)的時間（上升沿和下降沿）夠短，產(chǎn)品有限流保護，30A時電壓會被拉很低9-10V。
請問該怎么去測量和分析
問題二、mos管并聯(lián)的驅(qū)動電阻如何配置，開啟電壓如何確定？
mos管并聯(lián)可以增大電流能力，并聯(lián)MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開通關(guān)斷延遲時間，開啟電壓？
上面的連接正確嗎？
上期解答：
上期解答一、只有開關(guān)器件截止的時候會，因為存在這個漏感，一旦截止就會產(chǎn)生反電動勢，MOS這樣的尤其容易被擊穿。如圖的漏感，簡單理解就是，在導通時的感應(yīng)電壓是上正下負，而且此時的MOS管導通，所以這個上正下負的漏感電壓就不會對MOS造成損壞。
上期解答二、MOS管導通后，反向時主要是流過溝道，因為體二極管本身有比較大的二極管壓降，約為0.7V，溝道相當于把體二極管給短路了。
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